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劉楓：美國搞完中興搞華為——感慨馬賓方案的擱置與中國芯片被韓國徹底反超

點擊：  作者：劉楓    來源：察網(wǎng)  發(fā)布時間:2019-11-04 10:17:15

 

 一、吳敬璉、林毅夫們崛起，馬賓等老革命家被冷落——中國芯片行業(yè)無比悲哀的轉(zhuǎn)折點

隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的開打，中興被制裁，芯片成為這場戰(zhàn)爭的焦點問題。在國內(nèi)，各種認(rèn)識和主張一時間紛紛涌出。在呼吁自主研發(fā)、奮起直追的愛國的聲音之外，卻有另外一種刺耳的聲音，那就是完全反對中國政府大力扶持搞芯片的自主研發(fā)，其中最具代表性的就是吳敬璉2018年4月份在清華的講話。

吳敬璉說：

http://tech.sina.com.cn/csj/2018-04-26/doc-ifztkpin3214995.shtml

【從網(wǎng)上的反映看似乎有一種危險，這種危險就是由于這個爭論使得國家主義更加取得了優(yōu)勢，就是用更強(qiáng)大的行政力量去支持我們的有關(guān)產(chǎn)業(yè)，比如說有一種口號叫做“不惜一切代價發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)”。】

早在80年代初開始，以吳敬璉為代表的新自由主義、市場原教旨主義、資產(chǎn)階級自由化勢力，就對中國改革開放形成了嚴(yán)重的干擾、破壞，其中最重要的是就是對新中國前三十年形成的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的破壞。中國本來比較強(qiáng)大的芯片產(chǎn)業(yè)，自85年開始就不斷萎縮，甚至被本來遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于中國的韓國和中國臺灣地區(qū)趕超，其中一個關(guān)鍵原因，就是這些資產(chǎn)階級自由化學(xué)者勾結(jié)腐敗賣國的資產(chǎn)階級自由化官員進(jìn)行破壞的結(jié)果，今天中國要下決心再次發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)了，他們又跳出來搞破壞。

吳敬璉覺得國家或政府不僅不該“用更強(qiáng)大的行政力量”去支持芯片產(chǎn)業(yè)，甚至他還認(rèn)為如果國家或政府這么做，對民眾來講會是一種危險，因為他認(rèn)為只要國家用行政力量去支持有關(guān)產(chǎn)業(yè)，就會使國家主義更加取得優(yōu)勢，為了反對國家主義得勢、為了鼓動自由主義，就要廢掉中國芯片產(chǎn)業(yè)，這是什么奇葩邏輯？

事實上，任何一個新興的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)想要得到長足發(fā)展，國家和政府的支持（包括政策、稅收、貸款以及人才等等）都是必不可少的，這幾乎在西方發(fā)達(dá)國家是常識性的，美國、日本、韓國的芯片產(chǎn)業(yè)，都是在政府乃至軍隊的大力扶持下才發(fā)展出來的。

如果當(dāng)年運(yùn)十項目沒有被新自由主義和資產(chǎn)階級自由化勢力摧毀，中國今天早已擁有了包括航空發(fā)動機(jī)在內(nèi)的完全獨(dú)立自主的大飛機(jī)產(chǎn)業(yè)。同樣，依靠新中國前四十年在集成電路和信息產(chǎn)業(yè)方面的積累，本來今天中國也應(yīng)該擁有自己的獨(dú)立自主、領(lǐng)先世界的芯片產(chǎn)業(yè)。然而，在改革發(fā)展過程中，新自由主義勢力的干擾與破壞，使除了高鐵、航天等少數(shù)產(chǎn)業(yè)外，包括大飛機(jī)、汽車、化工、制藥、芯片、操作系統(tǒng)在內(nèi)的各大骨干行業(yè)都遭受新自由主義的殘酷破壞，使今天中國在很多關(guān)鍵領(lǐng)域的核心技術(shù)不僅僅相對落后于80年代初的中國（即保持當(dāng)時的發(fā)展勢頭到今天的狀態(tài)），甚至絕對落后于當(dāng)時的中國。

以運(yùn)十為例，參與運(yùn)10研制的原上海飛機(jī)制造廠車間主任、上海核工程研究設(shè)計院黨委副書記任治侯同志介紹，為運(yùn)10飛機(jī)研制的三釘(虎克鉚釘、環(huán)槽鉚釘，抽芯鉚釘)，高強(qiáng)度鏍栓，超高壓無擴(kuò)口液壓接頭，當(dāng)時已達(dá)美國標(biāo)準(zhǔn)，可惜的是鉚釘生產(chǎn)線現(xiàn)已沒有，廠房變成了房地產(chǎn)，使我國支線飛機(jī)及C919飛機(jī)的鉚釘依靠進(jìn)口，超高壓無擴(kuò)口液壓接頭現(xiàn)已用在了我國新型戰(zhàn)機(jī)，海軍、深潛等領(lǐng)域，先進(jìn)程度已達(dá)到或超過美國。而據(jù)運(yùn)十總體設(shè)計參與者、ARJ21飛機(jī)副總設(shè)計師周濟(jì)證實，當(dāng)年運(yùn)10用的機(jī)體材料，幾十年之后的現(xiàn)在反倒搞不出來了。運(yùn)10開始試飛用的發(fā)動機(jī)仍是B-707(PW)的JT3D，運(yùn)十研制期間上海也同步研制了915發(fā)動機(jī)(渦扇8)，與運(yùn)十當(dāng)時使用的渦扇發(fā)動機(jī)JT3D―7的性能相當(dāng)。現(xiàn)如今，制造915發(fā)動機(jī)的工廠現(xiàn)在早已轉(zhuǎn)產(chǎn)，為上汽集團(tuán)的合資企業(yè)上汽大眾和上汽通用生產(chǎn)汽車配件。

也就是說，如果沒有新自由主義勢力對改革開放的干擾和破壞，中國保持新中國建國以來一直有的“兩彈一星”精神和模式發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，中國工業(yè)應(yīng)該比現(xiàn)在的狀態(tài)要“厲害”得多得多——這是美國的培植的公知及公知偽裝成的五毛們都極力否認(rèn)的基本事實，他們都否認(rèn)新自由主義勢力對中國的經(jīng)濟(jì)、金融和工業(yè)產(chǎn)生了嚴(yán)重的破壞。公知們說，中國當(dāng)前的問題是新自由主義私有化和市場化程度還不徹底。公知偽裝的五毛們說，新自由主義市場化、私有化，包括國企私有化等等政策，已經(jīng)讓中國實現(xiàn)了大國崛起，中國已經(jīng)是帝國主義——等特朗普以中國經(jīng)濟(jì)侵略美國和世界的借口和中國打貿(mào)易戰(zhàn)、金融戰(zhàn)時，極少數(shù)中國官員才明白這些公知偽裝的五毛從2011年開始鼓吹中國已經(jīng)是帝國主義國家的原因。這些公知偽裝的五毛鼓吹，為了使國家強(qiáng)大挑戰(zhàn)美國，要繼續(xù)過去的新自由主義市場化、私有化模式。

早在90年代初開始，許多愛國學(xué)者及以馬賓（建國后歷任鞍山鋼鐵公司總經(jīng)理、冶金工業(yè)部副部長、國家進(jìn)出口委員會副主任、國務(wù)院經(jīng)濟(jì)研究中心副總干事）為代表的黨內(nèi)老革命家都主張發(fā)揚(yáng)兩彈一星精神，大力發(fā)展以IT產(chǎn)業(yè)為核心的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，爭取迎頭趕上發(fā)達(dá)國家，縮小中國與發(fā)達(dá)國家的經(jīng)濟(jì)技術(shù)差距。

而以林毅夫為代表的新自由主義經(jīng)濟(jì)學(xué)家從一開始就極力反對這種做法。林毅夫于2000年6月公開發(fā)表的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展與比較優(yōu)勢原則》一文中建議：

 

【IT技術(shù)的研究開發(fā)目前主要集中在美、歐、日本等高度發(fā)達(dá)國家，主要元件像計算機(jī)中央處理芯片的生產(chǎn)，除了高度發(fā)達(dá)的國家之外，一些中等發(fā)達(dá)國家和經(jīng)濟(jì)如韓國、馬來西亞和我國的臺灣省也占有相當(dāng)?shù)姆蓊~，至于發(fā)展中國家在IT技術(shù)的生產(chǎn)上一般只是最終產(chǎn)品如計算機(jī)、鍵盤、顯示器的組裝，和外殼或一些簡單電子元器件的生產(chǎn)。……當(dāng)核心技術(shù)開發(fā)出來后的大規(guī)模生產(chǎn)上，所需的資本投入仍然很大，但和研究開發(fā)相比就小得多了，以計算機(jī)的芯片為例，每條生產(chǎn)線的投資大約要10多億美元。最終產(chǎn)品的組裝和簡單電子元器件的生產(chǎn)則相對來說屬于勞動密集型的。……我國還是一個資金相對稀缺的發(fā)展中國家……我國不應(yīng)該也不可能傾全國之力，不惜一切代價強(qiáng)行和IT產(chǎn)業(yè)的幾家大公司競爭，研究開發(fā)他們正在研究開發(fā)的技術(shù)、產(chǎn)品。……我國現(xiàn)階段的比較優(yōu)勢是勞動力多、勞動力價格相對便宜，因此，現(xiàn)階段在IT的硬體產(chǎn)業(yè)中的定位應(yīng)該是大力開發(fā)以組裝為主的產(chǎn)品】

林毅夫認(rèn)為，

【違背一國的比較優(yōu)勢去進(jìn)行產(chǎn)業(yè)和技術(shù)上的趕超，結(jié)果總是欲速則不達(dá)。……我國發(fā)展層次還很低，所以很容易使人產(chǎn)生急躁情緒，但是，經(jīng)濟(jì)發(fā)展有其自身規(guī)律，拔苗助長是要不得的。絕對不能一時頭腦發(fā)熱而不顧經(jīng)濟(jì)全局，孤注一擲地舉全國之力于少數(shù)幾個我國目前并不具備比較優(yōu)勢的領(lǐng)域，這方面我們吃的苦頭夠多的了。】

林毅夫還拿韓國三星的芯片來嚇唬中國：

【韓國企業(yè)的發(fā)展模式通常和三星電子相似，追求等級較高，資金密集程度超過其資源秉賦的技術(shù)和產(chǎn)品，必須依靠外債來補(bǔ)充其國內(nèi)資金之不足，結(jié)果利潤率較低。在1997年時，韓國30家主要企業(yè)集團(tuán)的平均負(fù)債率為350%，有些竟然達(dá)到1200%，而資金利潤率卻非常低，達(dá)不到0.5%，當(dāng)國外的金融風(fēng)波一起，外國銀行和投資者看到韓國企業(yè)利潤率低，對還本付息失去了信心，不再給予新的信貸，并開始回收資金時，這些大型企業(yè)集團(tuán)立即陷于岌岌可危的狀況，韓國經(jīng)濟(jì)也立即應(yīng)聲而倒，出現(xiàn)危機(jī)。……在1997年開始的這場亞洲金融危機(jī)中，韓國是亞洲四小龍中受創(chuàng)最重的經(jīng)濟(jì)，其原因是自70年代末以來，韓國經(jīng)濟(jì)漸漸偏向趕超戰(zhàn)略，熱衷扶植大企業(yè)去發(fā)展資本密集程度超過其要素秉賦結(jié)構(gòu)的產(chǎn)業(yè)，結(jié)果，生產(chǎn)的產(chǎn)品的成本較發(fā)達(dá)國家的同類產(chǎn)品成本高，在市場競爭中盈利能力低，甚至虧損嚴(yán)重，導(dǎo)致高額負(fù)債，當(dāng)國內(nèi)資金不足時，積累了大量的外債，在其它國家發(fā)生金融風(fēng)潮時，也就難逃骨牌效應(yīng)的影響，而使國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展受到極大的傷害。】

今天來看，如果韓國當(dāng)年不是因為在芯片技術(shù)上爭得了一席之地，在今天手機(jī)業(yè)務(wù)萎縮的情況下，怎么可能在今天繼續(xù)保持發(fā)達(dá)國家地位？自始至終，韓國、日本、德國及美國政府沒有采納林毅夫之類的新自由主義經(jīng)濟(jì)學(xué)家的比較優(yōu)勢建議，而是采用政府扶持趕超+高關(guān)稅的李斯特模式發(fā)展自己的核心產(chǎn)業(yè)，這是他們能夠從落后的發(fā)展中國家變成發(fā)達(dá)國家的根本原因。

從歷史進(jìn)程來看，當(dāng)年的中國接受了吳敬璉、林毅夫們的建議，而否定了馬賓、高梁等人的建議。除了鐵路和航天兩個領(lǐng)域外，當(dāng)時中國絕大部分掌握核心技術(shù)的體制內(nèi)骨干，都在新自由主義勢力打擊、摧殘下流失。在80、90年代，中國許多本來生機(jī)勃勃的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和項目被人為地廢止、下馬。在當(dāng)時國企聯(lián)想發(fā)展路線問題上，柳傳志也趕走了倪光南。這是中國IT行業(yè)無比悲哀的一個轉(zhuǎn)折點，這就是中國今天只有一個華為的原因。

古人云，以史為鏡，可以知興替，我們不妨從世界各國半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史中，找到一味治療中國“芯”痛的藥。

二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美、日等國的發(fā)展離不開政府（尤其是軍方）的支持

美國是當(dāng)今世界微電子技術(shù)的領(lǐng)跑者，以其經(jīng)濟(jì)、科技實力和高強(qiáng)度創(chuàng)新機(jī)制，穩(wěn)居全球領(lǐng)導(dǎo)地位，處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條的頂端。但這樣的主導(dǎo)地位，絕不是放手讓私營企業(yè)自負(fù)盈虧，天然發(fā)展而得來的。

學(xué)者高梁在《挺起中國的脊梁——全球化的沖擊和中國的戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)》一書中正確地指出：

【半導(dǎo)體制造技術(shù)在美國起步時，首先是用于軍事目的。20世紀(jì)60年代中期，美國投入大量人力物力，搞了民兵導(dǎo)彈、阿波羅導(dǎo)航計算機(jī)以及W2F飛機(jī)數(shù)據(jù)處理器三大工程，將集成電路的可靠性提高了100倍，也促進(jìn)了器件基礎(chǔ)（設(shè)計、工藝、測試評價、組織管理）的完善，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由此跨入大規(guī)模生產(chǎn)的門檻。1987-96年，美國半導(dǎo)體工業(yè)年增長率15.7%，3倍于國民經(jīng)濟(jì)的增長速度；該國GDP增長部分的65%以上與微電子技術(shù)有關(guān)。】

集成電路技術(shù)在美國出來后，市場并不看好，是軍方促進(jìn)了其使用、發(fā)展。美國政府為了保障軍用導(dǎo)彈可靠性及其元器件的質(zhì)量，投入了巨大的資金和人才力量。這一舉措使得集成電路的可靠性提高1000倍，不僅促進(jìn)了集成電路技術(shù)的大發(fā)展，實現(xiàn)了集成電路工業(yè)化大生產(chǎn)。

據(jù)馬賓（原鞍鋼總經(jīng)理、總工程師，改革開放后歷任冶金工業(yè)部副部長、國家進(jìn)出口委員會副主任、國務(wù)院經(jīng)濟(jì)研究中心副總干事等）在1993年夏寫的《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》一書中介紹，美國的集成電路產(chǎn)業(yè)和SEMI標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)，是美國“民兵Ⅱ”導(dǎo)彈的產(chǎn)物：

【1964年-1966年美國“民兵Ⅱ”導(dǎo)彈的可靠性保證計劃和元件質(zhì)量保證計劃，投入大量入力物力和財力，經(jīng)過這二年時間，使集成電路的可靠性提高1000倍。“民兵Ⅱ”可靠性計劃的實現(xiàn)，對于集成電路的發(fā)展是一個很大的促進(jìn)。它不僅促進(jìn)了集成電路的可靠性水平的大幅度提高，更重要的是促進(jìn)了支撐產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)、設(shè)計基礎(chǔ)、工藝基礎(chǔ)、測試評價基礎(chǔ)和組織管理基礎(chǔ)的進(jìn)一步完善，從而促進(jìn)了集成電路技術(shù)的大發(fā)展，實現(xiàn)了集成電路工業(yè)化大生產(chǎn)。】（《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，馬賓著，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版，58頁）

上述這些軍方的投入，不僅直接促進(jìn)了集成電路技術(shù)在短時間內(nèi)的跨越式發(fā)展，更為之后半導(dǎo)體設(shè)備和材料學(xué)會(SEMI)的成立打下了堅實基礎(chǔ)：

【美國各大公司在此基礎(chǔ)上，于1970年成立了一個“半導(dǎo)體設(shè)備和材料學(xué)會( Semiconductr Equipent and Materials Institute)"。爾后發(fā)展成為一個跨國國際性組織，到目前為止，已有成員1200個。包括了世界各國主要的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家(公司)及其支撐產(chǎn)業(yè)的廠家(或公司)。】（《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，馬賓著，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版，58頁）

而作為全球最權(quán)威的集成電路國際標(biāo)準(zhǔn)組織，SEMI標(biāo)準(zhǔn)在整個集成電路發(fā)展史上都具有舉足輕重的作用：

【這個學(xué)會溝通了半導(dǎo)體生產(chǎn)行業(yè)與支產(chǎn)業(yè)之間相互的技術(shù)信息交流，減少了行業(yè)之間的隔閡，使得支持產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平與半導(dǎo)體器件(特別是集成電路)生產(chǎn)同步發(fā)展。這個學(xué)會的1200個成員，每年竟派出300名專家參加制定一份既為支撐產(chǎn)業(yè)接受也為半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家認(rèn)可的SEMI標(biāo)準(zhǔn)。這份標(biāo)準(zhǔn)具有較高的科學(xué)性、先進(jìn)性和權(quán)威性。半導(dǎo)體工業(yè)是一個發(fā)展很快的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，新技術(shù)新產(chǎn)品層出不窮。有關(guān)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)方面的知識，每年都在成倍地增長。而SEMI標(biāo)準(zhǔn)緊密配合科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，適應(yīng)了半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展的需要，確保了新的知識和技術(shù)能以標(biāo)準(zhǔn)的形式在科研生產(chǎn)中得到廣泛的應(yīng)用、從而加速了半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展。】（《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，馬賓著，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版，58-59頁）

為了能夠?qū)崿F(xiàn)領(lǐng)跑全球集成電路產(chǎn)業(yè)，那美國又是怎樣的呢？

首先，他們對政、產(chǎn)、學(xué)、研之間有計劃的協(xié)同創(chuàng)新很重視。芯片產(chǎn)業(yè)的起步和發(fā)展需要來自各個方面的巨大投入和長期支持，絕非一朝一夕能夠完成。因此，美國政府將有計劃的協(xié)同創(chuàng)新，視為國家信息化戰(zhàn)略的重要基礎(chǔ)，并通過一系列政策（稅收、財政、科技等）的總攬和引導(dǎo)，加強(qiáng)了全社會對信息化關(guān)鍵技術(shù)深入持久的支持，逐步形成了政府、產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界和各種社會力量深度協(xié)同合作的體系。

其次，美國還非常重視制定政策，加大對科技人才的引進(jìn)和保護(hù)。除了高薪之外，在硅谷乃至全美國范圍內(nèi)，專精尖的高技能人才，能夠在企業(yè)和院校間自由流動，極大的促進(jìn)了技術(shù)的創(chuàng)新進(jìn)步。此外，美國政府、企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)等利用資金和環(huán)境優(yōu)勢，采取人才掐尖戰(zhàn)略，廣泛吸納國外IT的高精尖人才。美國的高新技術(shù)公司，在各國廣泛撒網(wǎng)，觸角甚至伸到其他國家的教育領(lǐng)域，甚至一度與某些專業(yè)研究協(xié)會深入合作。對一切有科研潛質(zhì)的人才，在早期就進(jìn)行干預(yù)，一旦可以收獲，第一時間掐尖。比如：聞名遐邇的德州儀器（TI）公司，就與中國的全國電子設(shè)計大賽長期合作，資助全中國的電子相關(guān)專業(yè)的大學(xué)生參加比賽，以選拔有創(chuàng)新設(shè)計能力的人才，定向資助和培養(yǎng)，以期為TI公司的發(fā)展甚至美國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展服務(wù)。

 

由于其重要戰(zhàn)略地位，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從來就是發(fā)達(dá)國家競相爭奪的戰(zhàn)略制高點。延續(xù)10年之久的美、日半導(dǎo)體貿(mào)易戰(zhàn)，就是最典型、最著名的案例。日本的集成電路產(chǎn)業(yè)，是在日本政府的大力支持下以及產(chǎn)業(yè)政策的協(xié)調(diào)下才發(fā)展起來的。在80年代末，曾經(jīng)一度打敗美國。當(dāng)美國人認(rèn)為，日本半導(dǎo)體芯片的崛起已威脅到了它的產(chǎn)業(yè)利益和國家安全，就運(yùn)用國家投入扶植產(chǎn)業(yè)的方法奪回了失地。

高梁在《挺起中國的脊梁——全球化的沖擊和中國的戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)》一書中指出：

【1970年代，日本政府認(rèn)定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要戰(zhàn)略價值，制定了產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，組織官產(chǎn)學(xué)研協(xié)同搞技術(shù)攻關(guān)，及時搶占了新一代關(guān)鍵設(shè)備這個制高點，瞄準(zhǔn)工業(yè)控制和消費(fèi)類電子這兩個市場空檔，在國際市場奠定了可與美國比肩的半導(dǎo)體強(qiáng)國地位。到1980年代末，日本的半導(dǎo)體國際市場份額一度超過了美國，以致1990年的海灣戰(zhàn)爭，美國導(dǎo)彈中的很多核心芯片，都不得不依賴日本貨，這使美國人感到，日本半導(dǎo)體芯片已威脅到美國的產(chǎn)業(yè)利益和國家安全。在這種情況下，一貫標(biāo)榜奉行“自由貿(mào)易”、“自由競爭”原則的美國，毫不猶豫地拿起貿(mào)易壁壘和產(chǎn)業(yè)政策這兩個武器，抵制日貨，制定產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，用市場保護(hù)、稅收信貸優(yōu)惠、政府資助組織企業(yè)研發(fā)等典型的“通產(chǎn)省”式手段，大力扶持本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。經(jīng)過大約10年的貿(mào)易戰(zhàn)，終以美國奪回主動權(quán)告終。】

日本半導(dǎo)體專用設(shè)備的發(fā)展速度如此之快，是與其政府的重視和大力扶持分不開的。日本不僅針對電子工業(yè)的振興專門立法，把對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持計劃落實到了法律層面；更是由政府直接出資（占產(chǎn)業(yè)總研發(fā)投入的近一半，達(dá)300億日元），推進(jìn)集成電路技術(shù)研究的快速發(fā)展：

【日本政府在其電子工業(yè)振興法中對半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展給予了許多優(yōu)惠措施，其中包括減免稅收和提供優(yōu)惠貸款并制定了相應(yīng)的振興計劃，對重點的研究項目在保證資金的情況下集中力量攻關(guān)保證在一定的期限內(nèi)完成。在日本通產(chǎn)省的主持下，日本最大的五家計算機(jī)企業(yè)(也是半導(dǎo)體企業(yè))東芝、日立、三菱電機(jī)、H本電氣、富士通出資400億日元、并從政府得到補(bǔ)助金300億日元，設(shè)立超大規(guī)模集放電路研究的特別機(jī)構(gòu)(組合)，并在政府主持下組織了各種IC專用設(shè)備的聯(lián)合開發(fā)體。】（《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，馬賓著，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版，40頁）

馬賓1990年就指出，日本為何能以如此驚人的速度發(fā)展成為世界半導(dǎo)體生產(chǎn)大國、強(qiáng)國呢？其原因是：

【1、日本從1957年～80年代初先后頒布并實施了“電振法”、“機(jī)電法”、“機(jī)信法”，大大促進(jìn)了日本電子信息業(yè)及傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造；2、據(jù)日本通產(chǎn)省對國內(nèi)12家主要半導(dǎo)體公司調(diào)查，1975年-1985年間設(shè)備投資年均增長率為4.6%，居各產(chǎn)業(yè)之首。研究開發(fā)費(fèi)用同期年均增長率為28%，開發(fā)研究費(fèi)用占銷售額的比例1980年為12.6%，1985年達(dá)到14.1%。近幾年日本又開始增加對基礎(chǔ)研究之投資，其款額已占到國民經(jīng)濟(jì)總值的1%；3、大力開展市場調(diào)查及分析、根據(jù)市場變化及時調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，大力開發(fā)適銷對路的新產(chǎn)品；4、實行官、產(chǎn)、學(xué)、用、軍幾位一體的科研、生產(chǎn)、應(yīng)用體。比如1976年-1979年日本制定并組織實施了LSI開發(fā)研究試制聯(lián)合攻關(guān)計劃，在短時間里取得了同大成效。當(dāng)時不僅在日本國內(nèi)，就連國外也引起了強(qiáng)烈反響，因為這是一次重大的技術(shù)突破。】

以光刻機(jī)為例，日本政府聯(lián)合企業(yè)、有關(guān)研究所以及大學(xué)，成立了特別研究機(jī)構(gòu)——日本超大規(guī)模集成電路組合技術(shù)研究所(簡稱“共同所”聯(lián)合體)，不惜投入巨資，經(jīng)過十幾年的努力，終于將美國光刻設(shè)備的霸主GCA公司等擊敗，在上世紀(jì)90年代一度成為該領(lǐng)域的領(lǐng)跑者。

【日本1974年在政府大力支持下，日本通產(chǎn)省聯(lián)合了日立、東芝和Nikon等幾家大企業(yè)集團(tuán)，其中組織了有關(guān)研究所和大學(xué)，走“產(chǎn)學(xué)研”聯(lián)合自主研制開發(fā)專用設(shè)備的道路，成立了有名的日本超大規(guī)模集成電路組合技術(shù)研究所(簡稱“共同所”聯(lián)合體)集中技術(shù)優(yōu)勢，主攻日本第一代五種關(guān)鍵專用設(shè)備，即分步重復(fù)投影光刻機(jī)(SR-1,SR-2型)、電子曝光機(jī)(EB-1型)、離子刻蝕機(jī)、掩模缺陷自動檢測設(shè)備、1:1反射投影式光刻機(jī)等。經(jīng)過4-5年努力先后研制成功樣機(jī)，為日本后來自主發(fā)展集成電路專用設(shè)備奠定了基礎(chǔ)。80年代以來，日本加快了投影光刻機(jī)等關(guān)鍵光學(xué)專用設(shè)備研制與開發(fā)步伐，以世界著名的光學(xué)儀器公司Nikon和Cannon公司為核心，每隔兩三年推出新一代的光學(xué)專用設(shè)備。由于特別注重產(chǎn)品質(zhì)量并以微電子工藝單位(企業(yè))相依托，實用化的周期大為縮短并在價格競爭上占有優(yōu)勢，很快拓展了市場，在激烈的競爭中將美國光刻設(shè)備的霸主GCA公司等擊敗，雄居該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。】（《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，馬賓著， 電子工業(yè)出版社1995年7月第一版，62頁）

日本集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史，給了我們很大的啟示。即只要國家給予足夠的重視和扶植，制定正確的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和保護(hù)政策，整合本國產(chǎn)業(yè)資源和人才，投入充足的發(fā)展資金，那么在集成電路的世界市場競爭中，相對落后的國家也能夠?qū)γ绹@樣的行業(yè)領(lǐng)跑者實現(xiàn)追趕和超越。

上世紀(jì)八九十年代，日本的集成電路產(chǎn)業(yè)非常強(qiáng)大。然而由于1985年廣場協(xié)議的簽訂，以及日本對美國自由市場經(jīng)濟(jì)的采納，給日本高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了極大地不利影響。進(jìn)入新世紀(jì)后，日本Nikon的高端光刻機(jī)逐漸被荷蘭的阿斯麥公司（ASML）擊敗。

阿斯麥(ASML)是專注于光刻機(jī)研發(fā)和制造的設(shè)備商，總部位于荷蘭費(fèi)爾多芬市。1984 年，阿斯麥由飛利浦與荷蘭國際先進(jìn)半導(dǎo)體材料公司合資成立。當(dāng)時硅谷集團(tuán)、Nikon和 Cannon等十幾家光刻機(jī)公司，實力均在阿斯麥之上。阿斯麥在成立當(dāng)年，做出第一臺油壓驅(qū)動光刻機(jī)PAS2000，但PAS2000的技術(shù)已嚴(yán)重過時。之后依托飛利浦原有的技術(shù)積累以及其他合作伙伴的支持，阿斯麥于1986年制造出PAS2500/10機(jī)器。1990年，阿斯麥光刻機(jī)銷量進(jìn)入世界前三甲。然而，在阿斯麥公司發(fā)展進(jìn)入快車道的同時，也面臨重重危機(jī)。1990 年，合資一方國際先進(jìn)半導(dǎo)體材料公司退出阿斯麥。1991年，阿斯麥虧損970萬荷蘭盾。1992 年，世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)滑坡，阿斯麥資金鏈斷裂，幾近關(guān)門。1995年，阿斯麥分別在阿姆斯特丹泛歐股票交易所和美國納斯達(dá)克股票交易所上市。1998年，阿斯麥出品 PSA5500/900型光刻機(jī)，成為世界第二大光刻機(jī)制造商。2002年，阿斯麥光刻機(jī)占世界市場份額50%，成為全球第一。從20世紀(jì)90年代中期開始，阿斯麥進(jìn)一步確定了模塊化戰(zhàn)略采購政策，編制清晰規(guī)范的外包合作協(xié)議，牢牢趕超、突破、把控光刻機(jī)最核心的技術(shù)，核心部件自制，其余部件采取模塊化公開采購。

阿斯麥(ASML)也是在政府及相關(guān)機(jī)構(gòu)的大力扶植下才能夠發(fā)展起來的。阿斯麥公司在其成立的最初幾年，依賴飛利浦，靠貸款和政府補(bǔ)貼生存。從20世紀(jì)80年代起，阿斯麥就主持和參與了尤尼卡、歐洲信息技術(shù)戰(zhàn)略研究計劃下的數(shù)個合作研發(fā)項目，從而早期掌握了自主研發(fā)PAS5500系列機(jī)器的重要技術(shù)。2004年，為了開發(fā)出極紫外光源所需電能裝置，阿斯麥從歐盟第六框架研發(fā)計劃中獲得2325萬歐元的資助，與15個歐洲公司、10個研究所和3所大學(xué)一起，開展了為期3年、題為“More Moore”的項目。2010-2012年，阿斯麥的合作研發(fā)項目從歐盟、荷蘭、美國政府機(jī)構(gòu)獲得的資助金額分別為2950萬歐元、2510萬歐元和1790 萬歐元。長期以來，圍繞光源和刻蝕技術(shù)，阿斯麥得到政府長期、穩(wěn)定的支持。（見《光刻機(jī)行業(yè)巨人的成長帶來的啟示和思考》，《中國基礎(chǔ)科學(xué)》2015年06期）

由此可見，非但國家和政府對芯片產(chǎn)業(yè)的扶持不是危險的，反而是對該產(chǎn)業(yè)甚至是國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展大大有利。由歷史可見，不僅產(chǎn)業(yè)落后的國家，可以通過國家集中人力、物力、財力不斷發(fā)展超越他國，而且產(chǎn)業(yè)先進(jìn)的國家，非得用政府持續(xù)扶持的方法，才能保證該產(chǎn)業(yè)長期領(lǐng)先于他國。

三、集成電路產(chǎn)業(yè)地發(fā)展需要長期的大量的有針對性的投資以及科學(xué)的產(chǎn)業(yè)布局

如今作為世界半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)第二把交椅，韓國在美國形成產(chǎn)業(yè)16年、日本11年以后，于1977年才開始建立自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。作為一個后來者，要對付兩個已占領(lǐng)國際市場的對手，能在已經(jīng)被瓜分的世界市場上站穩(wěn)腳跟，根本不是放任本國私營半導(dǎo)體企業(yè)自然發(fā)展就能辦到的。

馬賓早在1990年8月的《像老一輩無產(chǎn)階級革命家抓“兩彈一星”那樣，下決心把電子信息工業(yè)抓上去！》一文中就曾研究過韓國集成電路產(chǎn)業(yè)崛起的秘訣：

【三星(SUMSANG)公司于1980年開始投資3億美元，從美國引進(jìn)全套設(shè)備、技術(shù)，用種種辦法吸引日本科技人員，于1983年成功地生產(chǎn)出64K DRAM并投放世界市場。當(dāng)時,存儲器的市場為美、日兩國壟斷，而且進(jìn)入成熟的工業(yè)生產(chǎn)，價格已降到平衡價格。南朝鮮三星64K DRAM的生產(chǎn)成本一開始為國際市場價格的4-5倍；而集成電路是高科技商品，商業(yè)一技術(shù)信譽(yù)比價格還重要。

作為新加入的競爭者面臨：要么因質(zhì)次價高打不開市場而停產(chǎn)，承擔(dān)高額投資失敗的損失；要么降價銷售，咬著牙承擔(dān)巨額銷售虧損，在巨大壓力下完善科研-生產(chǎn)-經(jīng)營的一切環(huán)節(jié)，爭取生存下去，爭取發(fā)展，爭取下一輪比賽的資格，爭取綜合國力上一個臺階，獲得全面、長遠(yuǎn)的戰(zhàn)略利益。南朝鮮企業(yè)在國家的干預(yù)下選擇了后者。

緊接著，三星集團(tuán)在1984-1985年間連續(xù)投資6.5億美元引進(jìn)3微米集成電路設(shè)備，于1987年批量生產(chǎn)256K DRAN進(jìn)入國際市場，接著在1986--1988年度以1微米為目標(biāo)投資6億美元，于1988年底1M DRAM進(jìn)入批量生產(chǎn)，并于1989年3月試制成4M DRAM(線寬0.8微米)。三星集團(tuán)從1983年64K DRAW進(jìn)入國際市場，直到1988年利用日、美半導(dǎo)體摩擦而造成256K DRAM缺貨，價格上漲的機(jī)遇，于1988年10月份第一次使集成電路的生產(chǎn)擺脫了虧損。】

（見《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》19頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

美國經(jīng)濟(jì)學(xué)家曼昆，在他的西方經(jīng)濟(jì)學(xué)教科書中也曾指出，日本在生產(chǎn)汽車上有比較優(yōu)勢，美國在生產(chǎn)食物上有比較優(yōu)勢。因此，日本應(yīng)該生產(chǎn)多于自己使用需要的汽車，并把一些汽車出口到美國；美國應(yīng)該生產(chǎn)多于自己消費(fèi)需要的食物，并把一些食物出口到日本。但是，如果比較優(yōu)勢理論真的成立的話，為什么美國沒有變成一個農(nóng)業(yè)國呢？其實馬克思早已經(jīng)就此指出：就使用價值來看，交換雙方都能得到利益，但在交換價值上，雙方都不能得到利益。實際上，比較優(yōu)勢理論把使用價值當(dāng)作是商品生產(chǎn)的進(jìn)而也是市場經(jīng)濟(jì)的目的。正如馬克思指出的那樣：

【有人對我們說，自由貿(mào)易會引起國際分工，這種分工將規(guī)定與每個國家優(yōu)越的自然條件相適宜的生產(chǎn)。先生們，你們也許認(rèn)為生產(chǎn)咖啡和砂糖是西印度的自然秉賦吧。二百年以前，跟貿(mào)易毫無關(guān)系的自然界在那里連一棵咖啡樹、一株甘蔗也沒有生長出來。也許不出五十年，那里連一點咖啡、一點砂糖也找不到了，因為東印度正以其更廉價的生產(chǎn)得心應(yīng)手地跟西印度虛假的自然秉賦競爭。而這個自然秉賦異常富庶的西印度，對英國人說來，正如有史以來就有手工織布天賦的達(dá)卡地區(qū)的織工一樣，已是同樣沉重的負(fù)擔(dān)。《馬克思：關(guān)于自由貿(mào)易的演說》】

因為西方經(jīng)濟(jì)學(xué)比較優(yōu)勢理論本質(zhì)上是為先發(fā)國家資本服務(wù)，根本無法科學(xué)地解釋國際易利益在國家間（尤其是發(fā)達(dá)國家和發(fā)展中國家之間）的分配差距。遵從比較優(yōu)勢論參與國際分工與貿(mào)易的發(fā)展中國家，必然受到掠奪與剝削。過去幾十年來，實踐的結(jié)果也表明，比較優(yōu)勢論只會導(dǎo)致中國的產(chǎn)業(yè)越來越陷入產(chǎn)業(yè)分工的低端部分。國際貿(mào)易利益分配的差別在于，國際交換的結(jié)果是價值財富從發(fā)展中國家落后國家向發(fā)達(dá)國家轉(zhuǎn)移。

因此，發(fā)展中國家（也包括其他一切后進(jìn)國家）要擺脫和避免在國際上受剝削的地位，實現(xiàn)自己的經(jīng)濟(jì)發(fā)目標(biāo)，根本出路在于堅持獨(dú)立自主研發(fā)，自力更生的發(fā)展原則，加快實現(xiàn)對外經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式的轉(zhuǎn)變，積極參與到世界分工上游的競爭中去。正因為明白了這一道理，技術(shù)落后的韓國并沒有放棄芯片的自主研發(fā)，而是下了大力氣及早的進(jìn)入了這一產(chǎn)業(yè)，不惜一切代價，對美日這兩個強(qiáng)國進(jìn)行追趕：

【三星集團(tuán)依靠集團(tuán)內(nèi)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)和電子整機(jī)類產(chǎn)品的利潤支持，到1988年底，一共投資17億美元，承擔(dān)高達(dá)5億美元的早期巨額虧損，建成了有競爭力的集成電路產(chǎn)業(yè)，1989年集成電路銷售額達(dá)15億美元；月產(chǎn)1M DRAM 680萬塊。1990年1-6月份月產(chǎn)4M DRAN10萬塊，預(yù)計年銷售額達(dá)20億美元。使整個三星集團(tuán)成功地實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)現(xiàn)代化，綜合競爭能力上了個臺階。韓國的金星(Gold Star)、大宇(Daewoo)、現(xiàn)代( Hyundai)三大集團(tuán)也都和三星相類似地實現(xiàn)了這樣的發(fā)展過程。南朝鮮全國四大企業(yè)集團(tuán)到1988年底，以累計投資47億美元，虧損16億美元為代價，使得1988年南朝鮮集成電路銷售額44億美美元，出口39.4億美元，1990年銷售額將達(dá)54.1億美元，出口達(dá)46.8億美元(據(jù)南朝鮮產(chǎn)業(yè)研究院(KIET)公布的數(shù)字)，綜合生產(chǎn)一技術(shù)水平僅和日本差一年，收到了相當(dāng)好的長遠(yuǎn)效果。】（見《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》20頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

 

圖為1984-1987年韓國半導(dǎo)體工業(yè)投資情況，截自《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》馬賓著44頁

只有企業(yè)自己的投資是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，哪怕這個企業(yè)在其他領(lǐng)域盈利足夠支撐集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需求，作為私營企業(yè)，盈利是唯一的追求，韓國政府認(rèn)清這一點，既立足于產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)競爭，積極引導(dǎo)企業(yè)自己投資研發(fā)，又利用政府財政支持，直接投資：

【為了追趕先進(jìn)國家，從1975年起到1984年前，南韓平均每年對半導(dǎo)體工業(yè)投資1億多美元。而1985年投資超過11億美元。此后，每年約有4-5億左右美元投資。這樣，到1984年，南韓半導(dǎo)體生產(chǎn)已成為13億美元的大產(chǎn)業(yè)，與汽車工業(yè)一起被政府當(dāng)局定為新型輸出戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)。1986年，南韓成了居世界第二位大規(guī)模生產(chǎn)256K DRAM的國家。為了改變南韓電子工業(yè)過分依賴元器件進(jìn)口，特別是關(guān)鍵性元器件以來進(jìn)口的狀況，政府當(dāng)局于1986年提出了“加強(qiáng)元器件自產(chǎn)能力”，并計劃于“六五”(1987-1991)期間由政府投資40億美元從國外引進(jìn)元器件生產(chǎn)技術(shù)。】（見《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》44頁 馬賓著 電子工業(yè)出版社1995年7月第一版）

由此可見，芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展是耗資巨大的，必然的是，近期的乃至中長期的經(jīng)濟(jì)效益并不會高，甚至是虧損的。特別是一個落后的國家要進(jìn)入這個領(lǐng)域，對發(fā)達(dá)國家進(jìn)行趕超，在早期階段甚至是要承受巨額虧損的。高投入，長期投入，針對產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的投入是不可避免的。

隨著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和壯大，有的時候不僅不會有收益，反而投資和虧損的額度會越來越大。再以日本為例：

【1978年一1989年設(shè)備投資年平均增長率在70%以上，1988年度八大公司，投資達(dá)41億美元；全世界設(shè)備銷售額1989年高達(dá)91.7億美元(以上數(shù)字僅為設(shè)備投資，尚不包括超凈廠房、動力系統(tǒng)的投資和必要的軟技術(shù)費(fèi)用)。】（見《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》18頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

如果忽略或者干脆沒有認(rèn)清這一規(guī)律，會因遲疑錯失投資和發(fā)展的時機(jī)，甚至一旦停止新的投資，之前的投入都會白費(fèi)，這是得不償失的。比如：

【聯(lián)合歐洲亞微米硅計劃(JESSI)執(zhí)行兩年來，技術(shù)上取得了重大進(jìn)展,西門子公司( SIEMENS)4M DRAM，荷蘭飛利浦公司(PHILIPS)1M SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器，0.8微米技術(shù))都已投入生產(chǎn)。但是，由于無力應(yīng)付隨之而來的巨額虧損，于今年八九月相繼宣布停產(chǎn)，造成重大經(jīng)濟(jì)損失(僅飛利浦用于1M SRAM的科研經(jīng)費(fèi)就高達(dá)2億美元)并被迫退出JESSI計劃。執(zhí)行JESSI的三大公司只剩下法國湯姆遜公司，耗資45億美元的JESSI面臨天折的危險。】（見《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》20頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

如果當(dāng)年JESSI能夠持續(xù)得到政府（或者歐盟）出資支持，頂住巨額虧損，繼續(xù)投入研發(fā)，那么現(xiàn)在歐洲就能在被美日韓壟斷的芯片和存儲市場有更大的一席之地。當(dāng)然，歐洲沒有像中國1980年代那樣，全盤皆輸。飛利浦公司收縮研發(fā)線，在有限的資金下，保證了光刻機(jī)能夠繼續(xù)研發(fā)，最終成就了阿斯麥公司的光刻機(jī)技術(shù)的飛躍。阿斯麥公司正是依托飛利浦保存下來的這條產(chǎn)品線，并依靠上萬億歐元的貸款和政府補(bǔ)貼，投入十幾年時間，與眾多科技公司、研究所以及大學(xué)合作，才最終在21世紀(jì)初漸漸超越了日本的光刻機(jī)技術(shù)。

四、集成電路，新中國曾經(jīng)有這樣的輝煌——前三十年我國集成電路事業(yè)的自主趕超路線和成就

新中國建國后的第一個三十年，我國計算機(jī)和集成電路事業(yè)在自主趕超路線的主導(dǎo)和公有制科研、生產(chǎn)體系的統(tǒng)籌下，從無到有，初步建立起了獨(dú)立完整的產(chǎn)業(yè)體系，不斷縮小與日本、美國的差距，比韓國起步早，發(fā)展快，對今天的芯片產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)仍有重要的啟示。

1、科研和生產(chǎn)布局：集中攻關(guān)，遍地開花

科研和生產(chǎn)配置方面，早在建國初期，1950年抗美援朝戰(zhàn)爭爆發(fā)后，為解決軍隊電子通信問題，國家成立電信工業(yè)管理局，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（京東方前身），由民主德國（東德）提供技術(shù)援助。酒仙橋還建起了規(guī)模龐大的北京電機(jī)總廠、華北無線電器材聯(lián)合廠（下轄706、707、718、751、797、798廠）、北京有線電廠（738廠）、華北光電技術(shù)研究所等單位。在1952年，中國便成立了電子計算機(jī)科研小組，由當(dāng)時的數(shù)學(xué)研究所所長華羅庚負(fù)責(zé)。

1956年，中國提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，國家制訂了發(fā)展各門尖端科學(xué)的“十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃”，把計算機(jī)列為發(fā)展科學(xué)技術(shù)的重點之一，并籌建了中國第一個計算技術(shù)研究所。根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國也要研究發(fā)展半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。從半導(dǎo)體材料開始，自力更生研究半導(dǎo)體器件。為了落實發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃，中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉行了半導(dǎo)體器件短期訓(xùn)練班。請回國的半導(dǎo)體專家內(nèi)昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制技術(shù)和半導(dǎo)體線路。參加短訓(xùn)班的約100多人。

當(dāng)時國家決定由五所大學(xué)-北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)半導(dǎo)體物理專來，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。五校中最出名的教授有北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德和吉林大學(xué)的高鼎三。1957年就有一批畢業(yè)生，其中有現(xiàn)在成為中國科學(xué)院院士的王陽元（北京大學(xué)）、工程院院士的許居衍（華晶集團(tuán)公司）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺等人。之后，清華大學(xué)等一批工科大學(xué)也先后設(shè)置了半導(dǎo)體專業(yè)，培養(yǎng)了大批專業(yè)人才。

1958年，上海組建華東計算技術(shù)研究所，及上海元件五廠、上海電子管廠、上海無線電十四廠等企業(yè)。使上海和北京，成為中國電子工業(yè)的南北兩大基地。1960年，中國科學(xué)院在北京成立半導(dǎo)體研究所，集中了王守武博士、黃昆博士、林蘭英博士等著名海外歸國專家。同年組建河北半導(dǎo)體研究所（后為中電集團(tuán)第13所），進(jìn)行工業(yè)技術(shù)攻關(guān)。

到六十年代初，中國半導(dǎo)體器件開始在工廠生產(chǎn)。此時，國內(nèi)搞半導(dǎo)體器件的已有十幾個廠點。當(dāng)時北方以北京電子管廠為代表，生產(chǎn)了II-6低頻合金管和II401高頻合金擴(kuò)散管；南方以上海元件五廠為代表。

1961年我國第一個集成電路研制課題組成立。1962年由中科院半導(dǎo)體所，組建全國半導(dǎo)體測試中心。1963年中央政府組建第四機(jī)械工業(yè)部，主管全國電子工業(yè)（1982年改組為電子工業(yè)部），由通信專家王諍中將任部長。1968年，我國組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

中國早期電子工業(yè)，主要以軍事項目為牽引，研制軍用航空電子設(shè)備、彈道導(dǎo)彈控制設(shè)備、核武器配套電子設(shè)備、軍用雷達(dá)、軍用通訊器材、軍用電子計算機(jī)等產(chǎn)品。1958年開始研制東方紅衛(wèi)星后，又將防輻射級太空電路列入研究項目。民用電子產(chǎn)品以收音機(jī)為主。70年代初，受國內(nèi)外微電子業(yè)迅速發(fā)展的影響，加上集成電路的利潤豐厚，國內(nèi)出現(xiàn)一股電子熱潮，全國建設(shè)了四十多家集成電路工廠，包括四機(jī)部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風(fēng)光電工廠）和4435廠（湖南長沙韶光電工廠）等，各省市另外投資建設(shè)了大批電子企業(yè)，為以后進(jìn)行大規(guī)模集成電路的研究和生產(chǎn)提供了工業(yè)基礎(chǔ)。

2、科研和生產(chǎn)成果：自力更生，逐漸縮小同國外差距

在科研和生產(chǎn)成果上，前三十年我國整體上緊跟世界相關(guān)領(lǐng)域的先進(jìn)成就，不斷縮小同發(fā)達(dá)國家的距離，下面是幾個具有標(biāo)志性的成果比較：

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。國外最早是在1947年，美國貝爾實驗室發(fā)明了半導(dǎo)體點接觸式晶體管。中外差距：10年。

1963年（一說1962年），河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。平面工藝技術(shù)是半導(dǎo)體元件制作中的一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，是制作集成電路的基礎(chǔ)。國外最早是在1958年，由仙童半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor，也譯作“飛兆公司”)首先發(fā)展出平面工藝技術(shù)。中外差距：5年。

1962年，為解決晶體管制造難題，中國人民解放軍軍事工程學(xué)院四系四○四教研室康鵬（25歲）臨危受命，成功研發(fā)“隔離-阻塞振蕩器”（后被命名為康鵬電路），解決了晶體管的穩(wěn)定性問題，使中國比美國晚近8年進(jìn)入晶體管時代。

 

在解決晶體管制造難題后，哈軍工（由慈云桂主持設(shè)計）成功研制出新中國第一臺全晶體管計算機(jī)441B-I于1964年誕生，比美國第一臺全晶體管計算機(jī)RCA501只晚了6年。441B計算機(jī)1966年參加北京的計算機(jī)展覽，恰逢邢臺大地震，在地震中穩(wěn)定運(yùn)行。

1964年，吳幾康成功研制119計算機(jī)，該計算機(jī)運(yùn)算能力為每秒5萬次，運(yùn)算能力略強(qiáng)于美國于1958年制造的IBM 709計算機(jī)，IBM 709計算機(jī)的運(yùn)算能力為每秒4.2萬次。119計算機(jī)同1965年研制成功的109機(jī)，在我國研制氫彈的歷程中立下很大功勞，被稱為“功勛機(jī)”。

 

119計算機(jī)

1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管―晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路產(chǎn)品。DTL和TTL都是雙極型數(shù)字集成電路，它們的研制成功標(biāo)志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。國外最早：1958年-1959年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路，1960年仙童半導(dǎo)體研發(fā)了第一塊商用集成電路。中外差距：5-7年。

有了初級規(guī)模的集成電路，就有了制造第三代計算機(jī)（中、小規(guī)模集成電路）的基礎(chǔ)。中國第一臺第三代計算機(jī)是由位于北京的華北計算技術(shù)研究所研制成功的，采用DTL型數(shù)字電路，與非門是由北京電子管廠生產(chǎn)，與非驅(qū)動器是由河北半導(dǎo)體研究所生產(chǎn)，展出年代是1968年。國外最早是在1961年，德州儀器為美國空軍研發(fā)出第一個基于集成電路的計算機(jī)，即所謂的“分子電子計算機(jī)”。中外差距：7年。

與雙極型電路相比，MOS（金屬氧化物）電路具有電路簡單、功耗低、集成度高的優(yōu)勢。 1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路，拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路，之后又研制成CMOS電路（互補(bǔ)型MOS電路）。國外最早：1960年，美國無線電（RCA）制造出金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。1962年，美國無線電（RCA）制造了一個實驗性的MOS集成電路器件。1963年，仙童實驗室研制成CMOS電路。中外差距：6-7年。

1972年，我國自主研制的大規(guī)模集成電路在四川永川半導(dǎo)體研究所誕生，實現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。國外：1971年，Intel（英特爾）推出1kb動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM），包含2000多只晶體管，標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)。中外差距：1年。

1975年，北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組，由王陽元等人，設(shè)計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器，它比美國英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國、臺灣要早四五年。此時，臺灣才剛剛在向美國購買3英寸晶圓廠。

 

北京大學(xué)校史陳列館展示的相關(guān)器件

1975年，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當(dāng)時屬國內(nèi)最高水平的1024位移位存儲器，集成度達(dá)8820個元器件，達(dá)到國外同期水平。到上世紀(jì)70年代末，我國又陸續(xù)研制出256和1024位ECL高速隨機(jī)存儲器，后者達(dá)到國際同期的先進(jìn)水平；可以生產(chǎn)NMOS256位和4096位、PMOS1024位隨機(jī)存儲器；掌握了對于大規(guī)模集成電路制造起著重要作用的無顯影光刻技術(shù)，可用于制造分子束外延設(shè)備。

總體來看，在這個時期，雖然美國計算機(jī)發(fā)展迅猛，但中國同行追得也很快，從無到有，差距逐漸縮小，甚至在某些局部領(lǐng)域追平西方，達(dá)到先進(jìn)水平。中科院上海冶金所還獨(dú)立發(fā)展了制造集成電路所需要的離子注入機(jī)，并出口到日本。

截至70年代末，中國科研人員和產(chǎn)業(yè)工人發(fā)揚(yáng)自力更生、自強(qiáng)不息的精神，建成了中國自己的半導(dǎo)體工業(yè)，基本掌握了從單晶制備、設(shè)備制造、集成電路制造的全過程技術(shù)。在當(dāng)時，只有美國、蘇聯(lián)掌握從單晶制備、設(shè)備制造、集成電路制造的全過程技術(shù)，雖然日本技術(shù)很強(qiáng)，但個別領(lǐng)域被美國限制和閹割。而此時，韓國、臺灣才剛剛起步。

3、前三十年集成電路事業(yè)迅速趕超發(fā)展的經(jīng)驗

總結(jié)新中國前三十年集成電路事業(yè)的趕超發(fā)展，有幾點經(jīng)驗值得今天學(xué)習(xí)（專業(yè)研究產(chǎn)業(yè)問題的學(xué)者鐵流對此有很好的總結(jié)，筆者也頗為認(rèn)同，以下部分參考了其文中的一些觀點或論述）：

A.是堅持自主研發(fā)的趕超路線。

貫穿前三十年技術(shù)進(jìn)步的是自力更生，艱苦奮斗的精神。50年代，即使我國已經(jīng)引進(jìn)了蘇聯(lián)的技術(shù)資料，依舊保留自己的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊，例如夏培肅于1954年即著手基本邏輯電路的設(shè)計、試驗和運(yùn)算器、控制器的邏輯設(shè)計，這為我國同蘇聯(lián)交惡后自主研制計算機(jī)打下了堅實的基礎(chǔ)。此后，中國的科研工作人員在沒有外援的情況下，自力更生，完成了一個又一個技術(shù)攻關(guān)。從有國外留學(xué)經(jīng)驗的老科學(xué)家，到共和國自己培養(yǎng)的年輕科研人員，都發(fā)揮了極大創(chuàng)造力，例如前述25歲就研發(fā)出“隔離-阻塞振蕩器”，解決重大技術(shù)難題的康鵬。

這一時期，中國也抓住有利時機(jī)從國外引進(jìn)先進(jìn)技術(shù)設(shè)備。進(jìn)行充分消化吸收。但無論是50年代末引進(jìn)蘇聯(lián)技術(shù)資料，還是70年代通過特殊渠道少量購買歐美先進(jìn)設(shè)備，走的是都“消化吸收、融會貫通、推陳出新、舉一反三”的路線，技術(shù)引進(jìn)不僅沒對自主技術(shù)造成沖擊，反而使其融入自己的工業(yè)體系中，使中國自主技術(shù)更上一層樓。

70年代，通過購買國外單臺設(shè)備，我國自己組建了三條生產(chǎn)線，以緩解國內(nèi)制造計算機(jī)的迫切需要。1972年美國總統(tǒng)尼克松訪華后，中國開始從歐美引進(jìn)技術(shù)。對于當(dāng)時屬于高科技領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，中國雖然始終無法從官方途徑大規(guī)模引進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)資料，但也通過特殊渠道少量購買單機(jī)設(shè)備，并將其消化吸收后，大量仿制，推陳出新，搭建了自己的生產(chǎn)線。

在此期間，西方有意遏制中國尖端技術(shù)的發(fā)展勢頭，1973年我國7個單位分別從國外引進(jìn)單臺設(shè)備，以期建成七條3英寸工藝線，但由于歐美技術(shù)封鎖等各種因素，最終拖了7年才引進(jìn)，引進(jìn)時已經(jīng)落后于國際先進(jìn)水平。這也說明不論什么時候，什么條件下，堅持自主創(chuàng)新為主始終是第一位的。

B.是重視科研投入和科研人才培養(yǎng)。

新中國前三十年的社會主義建設(shè)時期，我國依靠“高積累、低消費(fèi)”的方式集中大量資源用于國家工農(nóng)業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)和國防技術(shù)研發(fā)，一代人吃兩代人的苦，將一個落后的農(nóng)業(yè)國建設(shè)成為擁有核武器的世界第六大工業(yè)國，計算機(jī)、集成電路這樣的高科技產(chǎn)業(yè)也從無到有，發(fā)展壯大。

在此期間，雖然國家財政并不富余，但中國用于科技研發(fā)的經(jīng)費(fèi)占國民生產(chǎn)總值的平均比例為1.28%，達(dá)到當(dāng)時幾個初等發(fā)達(dá)國家的平均水平（如意大利、西班牙）；到70年代末，隨著經(jīng)濟(jì)實力的提升該比值提升到2.32%，做到了竭盡所能為科研工作保障資金。這一投入遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越改革開放后的水平（80年代中期以后一度降到0.6%以下），達(dá)到同期幾個最發(fā)達(dá)國家英、法、西德的水平，僅比當(dāng)時的美國、日本低一些（美國長期為2.8-3.0%，日本70年代以前1.6%，進(jìn)入70年代后與美國接近）。

在人才方面，我國一方面積極吸引在海外留學(xué)、工作的技術(shù)人才回國效力；另一方面積極培育自己的人才，在開設(shè)短期速成班的同時，在院校開設(shè)計算機(jī)專業(yè)，培育專業(yè)技術(shù)人才，并送優(yōu)秀尖子赴蘇聯(lián)深造。高水平的科研經(jīng)費(fèi)比例，保證了即便在困難時期和政治動蕩的年份，也能盡可能的為科研人員提供基本的生活、工作條件。

C.是全國統(tǒng)籌協(xié)作的研發(fā)模式。

從前述列舉的重大成就來看，當(dāng)時的科研單位雖然分散在全國各地，但在重大問題的攻堅上卻是協(xié)同作戰(zhàn)和成功共享的。在全國統(tǒng)籌協(xié)作的舉國體制下，各個單位互幫互助，以集中全國科研力量攻堅克難的方式解決了科研道路一個個難題。國家還經(jīng)常舉辦各種展覽會，方便各單位進(jìn)行技術(shù)交流。

正是在自力更生、艱苦奮斗的精神和公有制體制的保障下，我國計算機(jī)和集成電路事業(yè)在前三十年取得了一個又一個成就。

4、新中國半導(dǎo)體及集成電路發(fā)展大事記：

1956年，中央提出了“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號。周恩來隨后主持制定了“十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃”（以下簡稱“科學(xué)規(guī)劃”）。他有遠(yuǎn)見地提出和確定了四項“緊急措施”，即大力發(fā)展計算機(jī)、無線電電子學(xué)、半導(dǎo)體、自動化，并將新技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)和國防。

1956年，在周總理的正確領(lǐng)導(dǎo)下，我國提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。請回國的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國科學(xué)院院士王陽元(北京大學(xué)微電子所所長)、工程院院士許居衍(華晶集團(tuán)中央研究院院長)和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺(北方華虹設(shè)計公司董事長)。

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管(即晶體管)。

1958年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路(IC)之后，發(fā)展極為迅猛，從SSI(小規(guī)模集成電路)起步，經(jīng)過MSI(中規(guī)模集成電路)，發(fā)展到LSI(大規(guī)模集成電路)，然后發(fā)展到現(xiàn)在的VLSI(超大規(guī)模集成電路)及最近的ULSI(特大規(guī)模集成電路)，甚至發(fā)展到將來的GSI(甚大規(guī)模集成電路)，屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。

1959年，天津拉制出硅(Si)單晶。

1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所(河北半導(dǎo)體研究所)。

1962年，天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs)，為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。

1962年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。

1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。

1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

1968年，組建國營東光電工廠(878廠)、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導(dǎo)體研究所，解放軍1424研究所，現(xiàn)中電集團(tuán)24所）。這是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬-氧化物半導(dǎo)體）電路。拉開了中國發(fā)展MOS集成電路的序幕。七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所(現(xiàn)電子第24所)、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。

七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設(shè)IC生產(chǎn)企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機(jī)部所屬廠有749廠(永紅器材廠)、871(天光集成電路廠)、878(東光電工廠)、4433廠(風(fēng)光電工廠)和4435廠(韶光電工廠)等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體(一)廠、航天部西安691廠等等。

1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。

1973年，我國7個單位分別從國外引進(jìn)單臺設(shè)備，期望建成七條3英寸工藝線，最后只有北京878廠，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠。

1975年，北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組，由王陽元等人，設(shè)計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器，它比美國英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國、臺灣要早四五年。那時韓國、臺灣根本就沒有電子工業(yè)科研基礎(chǔ)。

1975年，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當(dāng)時屬國內(nèi)最高水平的1024位移位存儲器，集成度達(dá)8820個元器件，達(dá)到國外同期水平。

1976年11月，中國科學(xué)院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機(jī)，所使用的電路為中國科學(xué)院109廠(現(xiàn)中科院微電子中心)研制的ECL型(發(fā)射極耦合邏輯)電路。

1978年10月，中國科學(xué)院成立半導(dǎo)體研究所，由王守武領(lǐng)導(dǎo)，研制4K DRAM，次年在中科院109廠投入批量生產(chǎn)（比美國晚六年）。

由于有周恩來主持制定的科學(xué)規(guī)劃，新中國的集成電路產(chǎn)業(yè)起步和發(fā)展，在帝國主義的封鎖下開了個好頭，經(jīng)過20余年的辛勤奮斗，盡管與世界發(fā)達(dá)水平還有一定距離，但也是碩果累累。

五、中國本來先進(jìn)的半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)為何八十年代開始日益落后，并被韓國反超

1、最直接原因就是完全開放國內(nèi)市場后，放棄了對國內(nèi)半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)的市場保護(hù)

上世紀(jì)70年代末80年代初，我國的芯片技術(shù)只落后于美國六年，但是遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于韓國和中國臺灣地區(qū)。集成電路作為滲透到國民經(jīng)濟(jì)所有領(lǐng)域的基礎(chǔ)行業(yè)，門類、品種繁多，它的發(fā)展依賴于全社會的需求支持，但是我國卻在這一國內(nèi)市場領(lǐng)域采取完全開放的狀態(tài)，由于開放之初沒有在政策上的主動向國產(chǎn)自主產(chǎn)權(quán)的芯片傾斜，加上國際市場上的成熟芯片產(chǎn)品要么比我們的先進(jìn)（當(dāng)然在最開始，先進(jìn)的芯片并不賣給我們，當(dāng)我們自己的芯片開發(fā)出來后，他們就開始賣了，甚至廉價傾銷，以擊垮中國的產(chǎn)業(yè)），要么是和我們同等技術(shù)水平的進(jìn)口芯片價格更加低廉（國際市場需求量大，生產(chǎn)量大，機(jī)器設(shè)備等固定資本轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品里，成本自然就低），導(dǎo)致國產(chǎn)芯片市場需求驟降；更有甚者是甚至存在芯片領(lǐng)域的崇洋媚外現(xiàn)象，在同等水平進(jìn)口芯片更貴情況下，國內(nèi)廠家仍然首選進(jìn)口芯片。

由于缺乏國家強(qiáng)有力的統(tǒng)一計劃領(lǐng)導(dǎo)，80年代并沒有充分利用好國內(nèi)國外兩種資源。對于國外資源，馬賓指出，

【對于國外資源未能很好利用，如重復(fù)引進(jìn)外國落后的生產(chǎn)線，未能利用機(jī)會選擇更好的技術(shù)，這就是例證。】

而在利用國內(nèi)資源上，馬賓痛心疾首地說，

【殊不知電子技術(shù)人才更為可情地荒廢而未加以應(yīng)用。本來凡國內(nèi)能夠供應(yīng)的元器件、零部件、配套件、整機(jī)，都應(yīng)盡量采用，國內(nèi)生產(chǎn)一時供應(yīng)不上的元器件和零部件，可以從國外選購。在設(shè)計上要考慮選購?fù)ㄓ玫脑⑵骷浽床粏我唬瑫r要有采用國產(chǎn)元器件和零部件的替代方案，以免受制于人。對于一些關(guān)鍵的東西，當(dāng)前我們生產(chǎn)不出來，可暫時從外面購買，但要下決心集中優(yōu)勢力量攻下技術(shù)關(guān)，力爭早日在國內(nèi)重點供應(yīng)，凡此，說明在國內(nèi)國外資源利用上，要有個自主發(fā)展，立足國內(nèi)的重點，而不是兩種資源都應(yīng)用而無所區(qū)別。

（見馬賓，《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，78頁，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版）這真是高瞻遠(yuǎn)矚、黃鐘大呂的建議。】

馬賓在《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》中指出：

【對我國而言，真正需要的設(shè)備和技術(shù)是有錢也買不來的。應(yīng)該說更需要包括對設(shè)備、工藝、支撐產(chǎn)業(yè)的多層次立體投資由于技術(shù)進(jìn)步速度快，一次投資購置的集成電路設(shè)備的技術(shù)壽命及更新周期縮短(在日本僅為2-3年)。為了跟上技術(shù)發(fā)展的步伐，及時跨上新的技術(shù)臺階并不斷完善各技術(shù)環(huán)節(jié)，適應(yīng)激烈的競爭，必須不斷地連續(xù)投資。為使巨額固定資產(chǎn)折舊入產(chǎn)品后產(chǎn)品價格還有競爭力，企業(yè)規(guī)模必須大于某一門限值才能生存；投資必須高于特定的門限值才有效。】（該書18頁中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

在這種情況之下，國產(chǎn)芯片和廠家處于極其被動的地位，努力研發(fā)，自主創(chuàng)新的產(chǎn)品即使是質(zhì)量不錯，也在崇洋媚外的文化氛圍及缺乏市場的經(jīng)濟(jì)環(huán)境下難以收回研發(fā)投入和生產(chǎn)成本，不得不在市場開放的頭幾輪與國際芯片的交鋒中敗下陣來。

美日芯片對壘的十年，美日政府各自建立其高昂的關(guān)稅壁壘，從而為本國企業(yè)在鞏固自己國內(nèi)市場份額的道路上，不斷注射強(qiáng)心針。馬賓指出，

【日本政府對本國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支持是全面的。日本政府為促進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，除了像其他國家一樣采取一些一般性措施，如限制進(jìn)口、關(guān)稅壁壘、鼓勵技術(shù)引進(jìn)、限制外資滲入等以外，還專門制定了種種法律、制度和計劃。其中主要有1957年的“電子工業(yè)振興臨時措施法”，1971年的“特定電子工業(yè)和特定機(jī)械工業(yè)振興臨時措施法”和1978年的“特定機(jī)械信息產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法”。在三項法律中，集成電路都被提到了突出的地位，根據(jù)不同時期國內(nèi)外市場環(huán)境、本國生產(chǎn)技術(shù)條件和企業(yè)競爭能力，對集成電路產(chǎn)業(yè)提出了明確的階段發(fā)展性能要求和市場目標(biāo)，并采取相應(yīng)的技術(shù)政策、財經(jīng)手段、政府指導(dǎo)和組織措施予以促進(jìn)。到了70年代末，日本在集成電路領(lǐng)域趕上了美國。】

日本、韓國的芯片產(chǎn)業(yè)都是通過保護(hù)國內(nèi)市場才發(fā)展起來的，而80年代的中國卻反其道而行之。

盡管最終，美國通過采取比日本更強(qiáng)力度的市場保護(hù)、稅收信貸優(yōu)惠、政府資助組織企業(yè)研發(fā)等手段戰(zhàn)勝了日本，但這并不代表政府扶植和保護(hù)本國產(chǎn)業(yè)是不合理的。恰恰證明了，離開了政府強(qiáng)有力的扶植和保護(hù)，本國的芯片產(chǎn)業(yè)是很容易被趕超甚至是擊垮的。可以說，半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)及技術(shù)的飛速發(fā)展，在很大程度上就是國家與國家之間的競爭，也是發(fā)達(dá)國家對其他后進(jìn)國家保持技術(shù)優(yōu)勢的重要籌碼。

2、西方按照“巴統(tǒng)協(xié)議”戰(zhàn)略對中國IC產(chǎn)品及產(chǎn)業(yè)進(jìn)行封鎖、沖擊和摧毀

我們曾經(jīng)花費(fèi)巨資，從國際上引進(jìn)集成電路的生產(chǎn)線。但是由于當(dāng)時帝國主義對我國的堤防，表面上打著自由貿(mào)易的幌子，實際上高端核心技術(shù)對我們?nèi)娣怄i和禁運(yùn)。所謂自由貿(mào)易，只是對中國搞商品傾銷，各帝國主義強(qiáng)國在技術(shù)上聯(lián)合封鎖中國。美日等發(fā)達(dá)國家，一方面試圖通過成熟的生產(chǎn)線壓低產(chǎn)品價格，來擊垮中國企業(yè)；另一方面向中國兜售落后的以及不配套的設(shè)配，從而使中國政府本就不夠的投資，浪費(fèi)在無用的設(shè)備上，不僅不能配套生產(chǎn)，更延誤和瓦解了自主設(shè)計研發(fā)能力，采取“圍而不殲”的戰(zhàn)略，使中國處于世界產(chǎn)業(yè)鏈低端：

高梁在《挺起中國的脊梁——全球化的沖擊和中國的戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)》一書中指出，

【從1984年到“七五”末期，我國先后共引進(jìn)33條集成電路生產(chǎn)線，按每條線花費(fèi)300-600萬美元，推算共用匯1.5億美元。但是由于當(dāng)時“巴統(tǒng)”的禁運(yùn)政策，引進(jìn)設(shè)備基本上都是已經(jīng)淘汰的，有的不配套，達(dá)不到設(shè)計能力，只有1/3可以開動。而且，（由于缺乏政策的引導(dǎo)和總體規(guī)劃——引者注）企業(yè)急功近利，只講生產(chǎn)不重消化，少有明確的消化吸收方案，也缺乏資金保障。由于引進(jìn)前對企業(yè)實際承受能力、環(huán)境條件支撐能力分析不夠，再加上管理不善，產(chǎn)品難找銷路。結(jié)果，“都是三天打魚、兩天曬網(wǎng)這么弄，虧本了。弄到后來進(jìn)不來人了。到后來，比起周圍都落后了。”】

而一旦我們自己研發(fā)出有競爭力的產(chǎn)品，或者技術(shù)上有突破，縮短了與世界一流水平的差距，西方就馬上對我們進(jìn)行芯片傾銷。將與我國最新產(chǎn)品最新技術(shù)同級別的產(chǎn)品和技術(shù)賣給我們，并保證低價優(yōu)勢，有時甚至利用當(dāng)時中國國內(nèi)崇洋媚外的心理，以次充好，騙取高額利潤。總之，就是有針對性的瓦解我們的生產(chǎn)能力。

馬賓曾痛心地說：

【八九十年代，電子方面真正的新技術(shù)、新產(chǎn)品，外國人總是不愿意賣給我們的，這在巴統(tǒng)的封鎖、禁運(yùn)單子上是寫的明明確確的。只有在我國自己已經(jīng)研制出來以后，外國就會馬上通知我們，這種產(chǎn)品和技術(shù)可以賣給我們了。他再不賣給我們，他就失去市場了。趁早賣給我們就奪去市場，把我們研制成功的新產(chǎn)品在未大批量生產(chǎn)之前，扼殺在襁褓之中。】

龍芯物理設(shè)計者黃令儀老師的回憶錄里，寫過這樣一則往事，可以以小見大看到當(dāng)時奸詐狡猾的帝國主義國家對我國芯片產(chǎn)業(yè)的封鎖和擠壓是多么的嚴(yán)重：

【有一家與日本人合資的廠家生產(chǎn)洗衣機(jī)，他們登門求教，希望幫助研制控制洗衣機(jī)的芯片，因為日本人什么都給，唯獨(dú)洗衣機(jī)的芯片設(shè)計不給，只賣芯片，奇貴無比。我大膽地接下了這任務(wù)，開始全身心的用CAD方法設(shè)計了這塊芯片，日日夜夜解決難題，有時晚上甚至跳鐵門的墻回家，終于研制成功。單位生產(chǎn)處已計劃一年生產(chǎn)幾十萬片。但日本人卻降價到四塊錢一片，若生產(chǎn)，要賠錢。我不禁感嘆，難道我們工作的價值就是逼別人降價?】（見《回望50年》黃令儀08年所著自傳）

而馬賓在自己90年代初的著作中也多次提到類似案例，

【電子部13所要引進(jìn)256K，外國一直不給我們，國防科工委科學(xué)院研制要成功了，就開始給我們。光刻機(jī)大宇光機(jī)所要引進(jìn)，也是不給我們，沈陽儀器廠第一代，第二代做出來了，于是開始給我們。】

總而言之，美國及西方壟斷資本和情報機(jī)構(gòu)聯(lián)合起來，有組織、有計劃地扼殺中國芯片產(chǎn)業(yè)（不僅僅是芯片產(chǎn)業(yè)，還包括大飛機(jī)、汽車，辛虧中國鐵路沒有在80年代開放，否則今天中國就沒有高鐵技術(shù)了），而中國資產(chǎn)階級自由化官員主導(dǎo)的中國的許多產(chǎn)業(yè)，就像綿羊和小白兔一樣任人宰殺，毛澤東時代辛辛苦苦積累的技術(shù)和成果就這樣流失了。按照美國向蘇聯(lián)、東歐、以及智利等拉美國家輸出和培養(yǎng)新自由主義經(jīng)濟(jì)學(xué)家和官員的經(jīng)驗，不排除中國有些新自由主義和資產(chǎn)階級自由化學(xué)者和官員是“單純”和“愚蠢”，但更多的則是“奸”和“壞”。

3、自80年代開始，中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展無戰(zhàn)略，沒有做好中短期虧損的戰(zhàn)略打算，以短期市場行為代替集成電路戰(zhàn)略研發(fā)

整個上世紀(jì)80年代，中國集成電路產(chǎn)業(yè)雖有發(fā)展，但整個產(chǎn)業(yè)的自主研發(fā)能力卻遭到了致命的打擊，在發(fā)展戰(zhàn)略上，不僅缺乏上述的縱覽全局的把控，而且存在嚴(yán)重的短視。自80年代初開始，在國內(nèi)市場完全對外打開的前提下，美日等發(fā)達(dá)國家有政治策略的對我國的集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)行擠壓和封鎖，導(dǎo)致我國本來比較完備的自主研發(fā)能力，從與世界先進(jìn)水平差距不大逐漸演變成與世界水平的差距極大。我們的產(chǎn)品失去世界競爭力，以至于自主研發(fā)能力在外圍封鎖下逐漸喪失。甚至，原本發(fā)展很好的國有集成電路廠家，大規(guī)模出現(xiàn)虧損的現(xiàn)象。

也由于技術(shù)比較容易掌握，更因為美日在該領(lǐng)域?qū)ξ覀冞M(jìn)行封鎖力度較小，國內(nèi)廠家在這一時期的技術(shù)引進(jìn)重點，開始轉(zhuǎn)向電視、收音機(jī)等生活消費(fèi)類電子產(chǎn)品的生產(chǎn)技術(shù)平臺上來，僅1987年達(dá)35億美元之多。這些電子產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)的引進(jìn)和消化，雖然在短時間內(nèi)為產(chǎn)出了大量的經(jīng)濟(jì)效益，但是對整個國產(chǎn)集成電路技術(shù)的自主研發(fā)沒有任何益處。反而占據(jù)了大量的國家投資的研發(fā)資金，甚至一度掩蓋了集成電路在國防和基礎(chǔ)經(jīng)濟(jì)建設(shè)中極端重要的作用。

馬賓在《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》中指出，

【“六五”、“七五”期間，利用改革開放所形成的有利形勢,全國直接大量引進(jìn)電子信息產(chǎn)品(僅1987年達(dá)35億美元之多)，使不少部門得以用先進(jìn)技術(shù)武裝，取得了極好的效果，電子信息產(chǎn)業(yè)本身，采用“逆向發(fā)展”模式，引進(jìn)整機(jī)裝配測試等后工序技術(shù)，從散件裝配開始，仿制……經(jīng)“國產(chǎn)化”逐步引進(jìn)前工序技術(shù)，執(zhí)行仿制進(jìn)口替代的技術(shù)經(jīng)濟(jì)路線,使電子信息產(chǎn)業(yè),特別是使消費(fèi)類電子產(chǎn)品有了相當(dāng)迅速的發(fā)展。但是，這種發(fā)展是以消費(fèi)類產(chǎn)品為主體，不能滿足國民經(jīng)濟(jì)和國防建設(shè)的需要；設(shè)備，技術(shù)、關(guān)鍵元器件……各層次都建立在“引進(jìn)”的基礎(chǔ)之上；西方視其政治、軍事、經(jīng)濟(jì)的需要，在使我國與國際市場水平保持一定差距的前提下，向我國“開放”技術(shù)，導(dǎo)致在關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展上我們總是受制于人。】（見該書13頁中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

4、將引進(jìn)技術(shù)資金列入發(fā)展戰(zhàn)略，卻沒有消化吸收該技術(shù)的配套資金

當(dāng)時中國在發(fā)展芯片行業(yè)的一大失誤，就是只管引進(jìn)，不管消化，這和前三十年毛澤東、周恩來主導(dǎo)的對50年代對蘇聯(lián)技術(shù)的引進(jìn)消化和70年代對西方技術(shù)的引進(jìn)消化，形成了天壤之別。

結(jié)果，“引進(jìn)”列入計劃的有資金，而“消化、吸收”既無資金計劃又無明確的“考核計劃”。既沒法把引進(jìn)的吸收、消化、掌握，更無力填補(bǔ)因引進(jìn)不全而造成的缺項。線寬日益細(xì)化的超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)，決定了計算機(jī)、通訊、工業(yè)電子設(shè)備和軍用電子設(shè)備的技術(shù)水平，代表著技術(shù)發(fā)展的方向，關(guān)系到整個電子信息產(chǎn)業(yè)乃至整個國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。

西方國家把控制向我國出口集成電路及制造設(shè)備、技術(shù)的限制“尺度”作為企圖推行“和平演變”的政治斗爭工具，作為摧殘我國獨(dú)立自主科研、開發(fā)能力，進(jìn)行長期超額經(jīng)濟(jì)掠奪的工具。而當(dāng)時我們卻沒有清醒的認(rèn)識到這一點，導(dǎo)致即使花大力氣引進(jìn)來了先進(jìn)的技術(shù)，因為缺乏宏觀把控和對應(yīng)的足夠的資金去消化該技術(shù)，導(dǎo)致一些技術(shù)和設(shè)備只能大材小用，或者干脆擱置。

馬賓在《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》中指出：

【通訊：我國從八個國家引進(jìn)九種制式的通訊設(shè)備，混亂不堪，消化、吸收困難,國產(chǎn)化進(jìn)口替代更困難，長期受制于人。集成電路：到1988年為止，集成電路行業(yè)擁有固定資產(chǎn)原值15億元；63個單位引進(jìn)了5微米，3英寸設(shè)備，其中24個單位相對成“線”。由于投資高度分散，各單位引進(jìn)設(shè)備不配套；而“軟”技術(shù)和測試監(jiān)控手段更不具備。除無錫微電子聯(lián)合公司和紹興871廠已發(fā)揮較好作用以外，都未能投入生產(chǎn)。國內(nèi)需要的2.5萬個品種,只有847種投入生產(chǎn)，不僅無法支持計算機(jī)、通訊發(fā)展，各企業(yè)都處于經(jīng)濟(jì)上難于維持的極端困難的局面(對除無錫微電子聯(lián)合公司外的48個集成電路廠、配件廠及10個集成電路專用設(shè)備廠的調(diào)查表明，1989年底共欠債92138萬元，處于資不抵債的狀況)。】（見該書13頁著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

5、雖然80年代廣大科研工作者仍然像岳飛那樣在浴血奮戰(zhàn)，但已無力回天

80年代，中國國家計委、教委及集成電路產(chǎn)業(yè)的廣大的科技工作者，在十分困難的環(huán)境下，仍然兢兢業(yè)業(yè)、艱苦奮斗、浴血奮戰(zhàn)，悲壯地取得了很大的成就。馬賓指出，

【面對著國外長期嚴(yán)格技術(shù)封鎖，國家計委將關(guān)鍵微電子專用設(shè)備列為國家“六五”、“七五”、“八五”重點攻關(guān)項目。中科院（光電技術(shù)研究所、上海光機(jī)所、電工所等）、電子部（45所、48所及些重點企業(yè)）、教委（浙大、清華等）都投入了相當(dāng)力量從事攻關(guān)，經(jīng)過十多年努力，已研制成功分步、重復(fù)投影光刻機(jī)（DSW）、電子束曝光機(jī)、同步輻射軟Ⅹ射線光刻機(jī)、等離子刻蝕機(jī)、11反射式掃描投影光刻機(jī)、掩模缺陷自動檢測系統(tǒng)、掩模缺陷激光修補(bǔ)儀、硅片表面質(zhì)量自動檢查儀等多種關(guān)鍵設(shè)備。在關(guān)鍵技術(shù)上取得一些十分可喜的突破，有的方面已接近國外80年代中后期水平。】

然而，

【由于國家財力支持很有限，技術(shù)難度又大，在某些方面還受到國家工業(yè)實力及工藝支撐的制約。】

也就是說，雖然當(dāng)時計委、教委及集成電路產(chǎn)業(yè)的廣大研發(fā)人員仍然像岳飛那樣在奮起直追、浴血奮戰(zhàn)，但是來自頂層的國家財力的支持非常有限，這和80年代資產(chǎn)階級自由化、新自由主義和市場原教旨主義勢力的秦檜式地對中國改革的干擾、破壞密切相關(guān)。

由于國家財政支持有限，80年代

【就總體技術(shù)水平來看，仍落后于國外15～20年以上，而且絕大部分停留在只出1～2臺樣機(jī)階段，難以適應(yīng)我國微電子技術(shù)發(fā)展的迫切請求】。

更嚴(yán)重的是，整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展缺乏宏觀計劃指導(dǎo)與市場保護(hù)，各大企業(yè)和研究所開始各自為戰(zhàn)、一盤散沙式地應(yīng)對國外沖擊，

【一些企業(yè)和研究所迫不及待地引進(jìn)中低檔專用設(shè)備，美日等國采取禁運(yùn)與“有限解禁”的政策，當(dāng)我國新一代專用設(shè)備研制成功，國外便在該檔次上放寬進(jìn)口限制，使我國專用設(shè)備研制和開發(fā)工作受到很大沖擊。這一嚴(yán)峻形勢必須引起領(lǐng)導(dǎo)高度重視。

（見馬賓，《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，63頁，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版）】

6、歸根結(jié)底是資產(chǎn)階級自由化、新自由主義、市場原教旨主義勢力的干擾和破壞

這里有三組數(shù)字對比：

1、到80年代末90年代初，中國“全國集成電路行業(yè)固定資產(chǎn)總投入僅15億元人民幣，折合美元僅3億美元。據(jù)報道，現(xiàn)國外建一條有一定規(guī)模的存儲器生產(chǎn)線投資就要2億美元。”（見馬賓，《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，69頁，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版）

2、1984年之前，韓國集成電路本來遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于中國。中國的集成電路和日本同步，80年之前，按照馬賓的說法，中國已經(jīng)建立“較完整的設(shè)備、儀器、材料、科研、生產(chǎn)的體系”。韓國1977年才搞集成電路，比美國晚16年，比中國和日本晚12、13年。84年之前韓國每年就向集成電路和半導(dǎo)體行業(yè)投資1億美元，從84年至87年，在連年虧損的情況下，每年投資5億乃至10多億美元發(fā)展芯片行業(yè)，韓國四大企業(yè)集團(tuán)到1988年底，以累計投資47億美元，虧損16億美元為代價，使得1988年韓國集成電路銷售額44億美美元，出口39.4億美元，1990年銷售額將達(dá)54.1億美元，出口達(dá)46.8億美元。僅以韓國三星集團(tuán)為例，“到1988年底，一共投資17億美元，承擔(dān)高達(dá)5億美元的早期巨額虧損，建成了有競爭力的集成電路產(chǎn)業(yè)，1989年集成電路銷售額達(dá)15億美元；月產(chǎn)1M DRAM680萬塊。1990年1--6月份月產(chǎn)4M  DRAM10萬塊，預(yù)計年銷售額達(dá)20億美元。”這就是在毛時代遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后中國的韓國集成電路產(chǎn)業(yè)，為什么在80年代反超中國的重要原因。

3、在韓國、日本及中國臺灣地區(qū)大搞芯片產(chǎn)業(yè)的同時，中國花費(fèi)巨額資金引進(jìn)電視、收音機(jī)等生活消費(fèi)類電子產(chǎn)品及相關(guān)生產(chǎn)技術(shù)平臺，僅1987年就高達(dá)35億美元之多。“僅七五期間，中國用于彩電的投資就在150億元以上，面臨的是已經(jīng)過熱問題。”這里，高達(dá)幾百億人民幣的投資，有相當(dāng)大的比例是重復(fù)建設(shè)和浪費(fèi)。可見，如果當(dāng)時中國拿出相當(dāng)多比例的經(jīng)費(fèi)用于芯片行業(yè)，中國芯片也不至于那么慘，資產(chǎn)階級自由化官員們非不能也，實不為也。與此同時，中國在對國外集成電路產(chǎn)品全面開放的同時，對集成電路技術(shù)的引進(jìn)，在消化、吸收方面遇到嚴(yán)重困難，“使產(chǎn)業(yè)處于動力不足、市場蕭條的兩難境地”。85年之前，毛澤東時代中國集成電路產(chǎn)業(yè)本來生機(jī)勃勃已經(jīng)趕超了國際先進(jìn)水平，全面領(lǐng)先韓國和中國臺灣地區(qū)，但85年之后，中國集成電路產(chǎn)業(yè)就處于土崩瓦解的境地。“1986年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)量比上年遞減22%，87年比86年又遞減58.1%，88、89年連續(xù)遞減。”（見馬賓，《電子信息產(chǎn)業(yè)的作用與發(fā)展》，57頁，電子工業(yè)出版社1995年7月第一版）

新中國辛辛苦苦建立的80年代之前遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先韓國和臺灣地區(qū)的芯片產(chǎn)業(yè)，就是這樣被80年代的資產(chǎn)階級自由化和新自由主義勢力破壞、阻擊的。等馬賓1990年向中央寫報告反映危險局面時，時間已經(jīng)被耽誤10年多了，在80年代整體上看，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)不僅僅沒有進(jìn)步，反而在后起之秀韓國、臺灣地區(qū)的趕超下在不斷退步。

可以說，韓國集成電路發(fā)展成功的秘訣，就完全反林毅夫們的新自由主義比較優(yōu)勢，馬賓指出，

【南韓的集成電路產(chǎn)業(yè)起步雖晚，然而起點很高。在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中，南韓甘冒風(fēng)險，采取了跳躍式發(fā)展戰(zhàn)略，一開始就躍過了4K、16K，直接從市場需求大而又有相當(dāng)水平的64K起步，繼而又攻下了256K和1兆位DRAM從而迅速縮小了與世界先進(jìn)水平的差距。南韓提出，要用日本所花時間的一半達(dá)到日本同樣的水平，成為世界第二個電子大國，可謂雄心勃勃。在對半導(dǎo)體工業(yè)投資方面，南韓的態(tài)度是要搞工業(yè)就要花錢，沒有錢就去借。在大舉外債的情況下，南韓對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)給予了大量投資。】

六、回顧1990年的馬賓方案：未來中國怎樣走好芯片產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)之路

早在1990年，馬賓就高瞻遠(yuǎn)矚地指出：

【西方國家把控制向我國出口集成電路及制造設(shè)備、技術(shù)的限制“尺度”作為企圖推行“和平演變”的政治斗爭工具，作為推殘我國獨(dú)立自主科研、開發(fā)能力，進(jìn)行長期超額經(jīng)濟(jì)驚奪的工具。要想有獨(dú)立的國際地位，必須在盡可能短的時間內(nèi)，自立更生解決1微米產(chǎn)業(yè)的建設(shè)以及亞微米開發(fā)手段問題。】（見《發(fā)展、改革的兩個關(guān)鍵——高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與反腐敗》22頁）

老革命馬賓向黨中央寫下這段話，到今天已經(jīng)快三十年了。在2018年中美貿(mào)易戰(zhàn)、中興被美國制裁的今天再看馬賓當(dāng)年的著作，這真是神一般的預(yù)言。

馬賓指出，造成這種被動局面的宏觀方面的主要有三個原因：

（1）、體制及政治重視問題。

【是一種按原有投資分額為基礎(chǔ)“切蛋糕”、“分盤子”的水平法，這對于原沒有投資分額或基數(shù)太小而又非常需要投資的新興產(chǎn)業(yè)的延生和發(fā)展極為不利。

對以集成電路為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)“重要性”的認(rèn)識僅停留在文章、報告中，而未能落實。】

（2）、對集成電路發(fā)展規(guī)律和戰(zhàn)略方案的認(rèn)識問題。

【對投資和早期虧損規(guī)律未認(rèn)識，強(qiáng)度不夠又非常“散”，引進(jìn)設(shè)備不配套：“硬”設(shè)備和生產(chǎn)技術(shù)、工藝技術(shù)、設(shè)計技術(shù)……等“軟”技術(shù)不配套；生產(chǎn)技術(shù)與設(shè)計技術(shù)、質(zhì)量監(jiān)控保障技術(shù)不配套。】

（3）只重視引進(jìn)，不重視消化，資金投入不足。

【“引進(jìn)”列入計劃的有資金，而“消化、吸收”既無資金計劃又無明確的“考核計劃”。既沒法把引進(jìn)的吸收、消化、掌握，更無力填補(bǔ)因引進(jìn)不全而造成的缺項。線寬益細(xì)化的超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)，決定了計算機(jī)、通訊、工業(yè)電子設(shè)備和軍用電子設(shè)備的技術(shù)水平，代表著技術(shù)發(fā)展的方向，關(guān)系到整個電子信息產(chǎn)業(yè)乃至整個國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。】

根據(jù)這些問題，馬賓在1990年提出了一系列非常有針對性、前瞻性、戰(zhàn)略性的集成電路發(fā)展計劃方案。可惜，在新自由主義勢力的干擾破壞下，我國一直沒有采納馬賓的如下建議：

【以集成電路為突破口，集中力量實施《×××計劃》，建成有自主發(fā)展能力的微電子產(chǎn)業(yè)，從而帶動整個電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

計劃指導(dǎo)思想：體現(xiàn)國家意志，集中人力、物力、財力，實事求是，腳踏實地，從市場面大量廣的產(chǎn)品入手，抓成良品率以增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)競爭力；抓品種以提高滿足國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展需要能力；使集成電路在走出困境的基礎(chǔ)上，集中力量攻關(guān)，主要依靠自己的力量，使產(chǎn)業(yè)跨上1微米“技術(shù)臺階”向扭轉(zhuǎn)與回際先進(jìn)水平差距不斷拉大的趨勢，增強(qiáng)對涉及國防、尖端高檔集成電路的研制、生產(chǎn)能力，打破封鎖、禁運(yùn)邁出關(guān)鍵的一步。

戰(zhàn)略布署：整個計劃分為相互聯(lián)系的三大步。

全面整頓5微米，使集成電路產(chǎn)業(yè)走出困境，實現(xiàn)良性循環(huán)為下一步發(fā)展莫定堅實的基礎(chǔ)。

以消化、吸收為目的，引進(jìn)3微米技術(shù)，建立自已的3微米產(chǎn)業(yè)，創(chuàng)新，為進(jìn)入1微米莫定基礎(chǔ)。

自力更生，建成有國際競爭能力的上微米產(chǎn)業(yè)和亞微米開發(fā)手段。

為此，

（1）立即開展《XXX計劃》的前期研究工作。

（2）改革和發(fā)展相互促進(jìn)，設(shè)立集成電路“特殊行業(yè)”，加快改革步伐，和相應(yīng)的政策配套，確保（×××計劃》的實施。

（3）建立能代表國家意志，授以全權(quán)，打破部門和地方分割的領(lǐng)導(dǎo)機(jī)構(gòu)和實施機(jī)構(gòu)；主持《×××計劃》的制定、實施；主持、實施區(qū)××計劃必要的特殊行業(yè)政策：產(chǎn)業(yè)政策、裝備政策、投資政策、稅收政策、虧損補(bǔ)貼政策、人才政策……組織全社會協(xié)同攻關(guān)。

成立“國家集成電路專門委員會”作為全權(quán)領(lǐng)導(dǎo)；設(shè)“國家集成電路總體部（專門委員會辦公室）”作為實施機(jī)構(gòu)，下設(shè)：戰(zhàn)略規(guī)劃組（負(fù)責(zé)發(fā)展戰(zhàn)略、規(guī)劃、計劃），政策（體改）組（負(fù)責(zé)配套政策）和專業(yè)組（負(fù)責(zé)指導(dǎo)各部委實施《×××計劃》）。

（4）在發(fā)展集成電路問題上，改革現(xiàn)行投資管理體制：不以“五年計劃”限制起始時間面實行滾動計劃：找專項發(fā)展基金；集中統(tǒng)使用科研、攻關(guān)、基建，技改“各項費(fèi)用，真正從計期到具體操作上落實“引進(jìn)、消化、吸收、創(chuàng)新”的方針，形成科技先導(dǎo)型產(chǎn)業(yè)。

核心問題在于建立一個能代表國家意志、受以全權(quán)的領(lǐng)導(dǎo)機(jī)構(gòu)】。

馬賓老生前，筆者有多次機(jī)會拜訪老先生，這是一位真正的大公無私的共產(chǎn)黨人。在改革開放年代，馬賓沒有得到黨中央的重用，這是全中國的悲哀。

不得不說，馬賓老爺子的眼睛真毒呀。某些格外敬重馬賓的中央領(lǐng)導(dǎo)同志，如果1990年能夠重視馬賓的建議，哪怕在2001年回頭去重視馬賓1990年的建議，今天還會讓全國人民一起吃后悔藥嗎？

馬賓在1990年預(yù)測，

【1995年我國，1.5--1微米電路需求達(dá)6000萬塊/年以上，由于單價高（現(xiàn)平均價格在10美元/塊以上）屆時將年耗匯4-5億美元。面且隨著技術(shù)的發(fā)展，這種需求將不斷增長。……若從現(xiàn)在下決心，從1991年即采取非常有效的手段實施，理想的情況也要?dú)v時6-7年。到1997年オ有可能建立自已的1微米產(chǎn)業(yè)，才能向滿足我國經(jīng)濟(jì)、國防、科技發(fā)展需要，擺脫受制于人的被動局面邁出關(guān)鍵的一步。屆時，從技術(shù)上看，我們和先進(jìn)水平的差距將維持在0.7-0.8微米、0.5微米和0.3微米三個技術(shù)臺階（或稱為三代）。但不同的是，我們建立了一個可供持續(xù)發(fā)展的其礎(chǔ)。只要繼續(xù)抓下去，就有可能在下個世紀(jì)的頭十年內(nèi)產(chǎn)生根本性的變化——趕上去，從而爭得我國在世界民族之林的獨(dú)立發(fā)言權(quán)，有能為實現(xiàn)我國在2020年以至更長遠(yuǎn)的目標(biāo)創(chuàng)造必要的條件。】

本來中國的集成電路能夠在2010年之前趕上美國，可惜的是，馬賓的科學(xué)建議和計劃到今天也沒有落實。

馬賓認(rèn)為，按照這一計劃，

【在7年期間投入XX億元左右的資金（投資最高的1995年才XX億）和整個能源、交通、原材料的投資相比，和全國每年高達(dá)4000億以上的固定資產(chǎn)投資相比，費(fèi)用是相當(dāng)小的。但是，其作用是無法用數(shù)量估計的。】

馬賓在1990年指出，

【從現(xiàn)在抓，即使盡全力，沒有5-7年時間，難以見效。已感為時晚矣！如按現(xiàn)“八五”計劉（草案）的安排，再過5年，局面將不堪設(shè)想。】

老革命馬賓擔(dān)心的最壞的局面出現(xiàn)了，局面不僅僅是不堪設(shè)想，而是徹底的不堪設(shè)想。28年來，美國通過芯片，剝削了中國多少血汗錢？今天中國再趕超美國的芯片產(chǎn)業(yè)，技術(shù)積累層面的困難程度已經(jīng)高于馬賓寫此文的1990年。

回顧各國發(fā)展歷程，可以看到，集成電路投資和早期虧損規(guī)律是世界各國發(fā)展該產(chǎn)業(yè)的歷史經(jīng)驗，也是后發(fā)展國家想要突破發(fā)達(dá)國家技術(shù)封鎖必然要經(jīng)歷和克服的困難。無論是美國、日本還是韓國，都主要是通過政府戰(zhàn)略計劃扶持發(fā)展起來的。這種關(guān)系到國家長遠(yuǎn)發(fā)展和國計民生的重大產(chǎn)業(yè)，在社會主義的中國，更毫無疑問的應(yīng)該有國家主力牽頭，國企承擔(dān)，要不惜一切代價把半導(dǎo)體和集成電路的技術(shù)水平提高到國際一流水準(zhǔn)上去。

為此，我們在當(dāng)前中國特殊環(huán)境下提出如下建議：

1. 建立頂層機(jī)構(gòu)確立制度保障。建立國家級的建設(shè)、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，系統(tǒng)地、目的明確地把集成電路產(chǎn)業(yè)的自主研發(fā)道路當(dāng)成一項國家命運(yùn)前途的大事來做。應(yīng)建立能代表國家意志，授以全權(quán)，打破部門和地方分割的領(lǐng)導(dǎo)機(jī)構(gòu)和實施機(jī)構(gòu)——“中央集成電路發(fā)展委員會”或“中央集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”。

2. 建立芯片產(chǎn)業(yè)長期發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃。鑒于集成電路發(fā)展周期之長，不應(yīng)將其局限于五年計劃，撥專項發(fā)展基金；集中統(tǒng)一使用科研、攻關(guān)、基建、技改……各項費(fèi)用,真正從計劃到具體操作上落實“引進(jìn)、消化、吸收、創(chuàng)新”的方針,形成科技先導(dǎo)型產(chǎn)業(yè)。2018年的今天，相比馬賓寫建議的1990年，有許多不利因素，比如，新中國毛時代積累的集成電路產(chǎn)業(yè)及科技團(tuán)隊在內(nèi)外勾結(jié)破壞下，基本流失光了，幾乎僅剩胡偉武這顆獨(dú)苗繼承了老一代科技工作者的“兩彈一星精神”，幾十年來持之以恒、奉獻(xiàn)犧牲搞自主芯片。今天中國芯片產(chǎn)業(yè)和美國的總體差距，比1983年更大了。當(dāng)然，今天也有很多有利因素，比如今天中國比1990年更加富裕，能夠投入的資金和人力更多。如果馬賓方案能夠落實的話，中國從今天開始，用20年的時間使芯片產(chǎn)業(yè)趕超世界先進(jìn)水平，是完全有可能的。

3. 篩選合適的科技和管理人才。選拔和重用真正愛國的、有強(qiáng)烈的民族責(zé)任感的科學(xué)家、技術(shù)帶頭人、企業(yè)家，比如胡偉武、倪光南這種一直默默為國家奉獻(xiàn)的人，從而能夠建立起一支講政治、有理想、敢吃苦、本領(lǐng)過硬的技術(shù)團(tuán)隊，并且形成學(xué)風(fēng)優(yōu)良，新老人才可以傳幫帶的傳統(tǒng)美德。對這些真正繼承了“兩彈一星”精神并經(jīng)過了長期考驗的真正共產(chǎn)黨人的技術(shù)骨干，黨和政府要給與充分的政治和經(jīng)濟(jì)資源，以大力支持。

4. 警惕內(nèi)奸從內(nèi)部搞破壞。毫無疑問，在當(dāng)前芯片熱的背景下，美國必然像當(dāng)年扼殺中國運(yùn)十大飛機(jī)、紅旗轎車及“中華之星”高鐵那樣（其中因為鐵路行業(yè)對西方開放較晚，只有高鐵團(tuán)隊沒有被美國和日本打散、打殘，其他很多毛時代積累的技術(shù)和人才流失嚴(yán)重），試圖通過在體制內(nèi)的政治殺手及體制外的經(jīng)濟(jì)殺手、產(chǎn)業(yè)殺手（如李開復(fù)之流）扼殺中國即將大力扶持的芯片產(chǎn)業(yè)。當(dāng)前最危險的事，就是在芯片熱這一貌似轟轟烈烈過程中，胡偉武、倪光南等人被排擠，一些美國派出的產(chǎn)業(yè)殺手和騙子們被重用，在芯片行業(yè)重蹈【李開復(fù)團(tuán)隊黑鄧亞萍“20億”搞垮人民搜索的前車之鑒】的覆轍（詳見筆者《李開復(fù)的華麗轉(zhuǎn)身讓人細(xì)思極恐》一文）。

【劉楓，察網(wǎng)專欄作家。本文由察網(wǎng)首發(fā)于2018年7月27日】